内存bai的性能指标有规格、运行频率、容量和duCL延迟。
规格度zhi如daoDDR、问DDR2、DDR3和DDR4。DDR4最先进。
运行频率如2800MHz、2666MHz、2400MHz、2133MHz、2000MHz、1866MHz、1600MHz、1333MHz、1066MHz、800MHz、667MHz。频率越答高速度越快。
容量如512MB、1GB、2GB、4GB、8GB、16GB等。容量较大的内好。
CL延迟如2-2-2-5、10-10-10-30 、11-11-11-28等。数字越小，代表反应所容需的时间越短。
扩展资料：
对于选择内存来说，最重要的是稳定性和性能，而内存的做工水平直接会影响到性能、稳定以及超频。
内存的性能指标有规格、运行频率、容量和CL延迟。
规格度如DDR、问DDR2、DDR3和DDR4。DDR4最先进。
运行频率如2800MHz、2666MHz、2400MHz、2133MHz、2000MHz、1866MHz、1600MHz、1333MHz、1066MHz、800MHz、667MHz。频率越答高速度越快。
容量如512MB、1GB、2GB、4GB、8GB、16GB等。容量较大的内好。
CL延迟如2-2-2-5、10-10-10-30 、11-11-11-28等。数字越小，代表反应所容需的时间越短。
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对于选择内存来说，最重要的是稳定性和性能，而内存的做工水平直接会影响到性能、稳定以及超频。
内存颗粒的好坏直接影响到内存的性能，可以说也是内存最重要的核心元件。所以大家在购买时，尽量选择大厂生产出来的内存颗粒，一般常见的内存颗粒厂商有三星、现代、镁光、南亚、茂矽等，它们都是经过完整的生产工序，因此在品质上都更有保障。而采用这些顶级大厂内存颗粒的内存条品质性能，必然会比其他杂牌内存颗粒的产品要高出许多。
内存的性能指标有以下方面。
1、存储速度：内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示，单位为纳秒，记为ns，1秒=10亿纳秒，即1纳秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取时间越短，速度就越快。
2、容量：内存的容量越大越不容易卡顿，但它要受到主板支持最大容量的限制。单条内存的容量有1GB、2GB、4GB等几种。主板上通常都至少提供两个内存插槽，若安有多条内存，则电脑内存的总容量是所有内存容量之和。
3、CL CL是CAS Lstency的缩写，即CAS延迟时间，是指内存纵向地址脉冲的反应时间，是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。
4、SPD芯片 SPD是一个8针256字节的EERROM(可电擦写可编程只读存储器) 芯片.位置一般处在内存条正面的右侧, 里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。当开机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。
5、工作电压：由于低电压内存要低于标准电压1.5V保证稳定工作，因此生产低电压内存要求更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质越不好，这也是低电压内存的优点之一。因此，内存条高低电压的区别就在于低压内存条比高压内存条耗电量低，更加环保。
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内存的构造和原理。
内存的内部结构是PC芯片中最简单的，是由许多重复的“单元”——cell组成，每一个cell由一个电容和一个晶体管（一般是N沟道MOSFET）构成，电容可储存1bit数据量，充放电后电荷的多少（电势高低）分别对应二进制数据0和1。
由于电容会有漏电现象，因此过一段时间之后电荷会丢失，导致电势不足而丢失数据，因此必须经常进行充电保持电势，这个充电的动作叫做刷新，因此动态存储器具有刷新特性，这个刷新的操作一直要持续到数据改变或者断电。
而MOSFET则是控制电容充放电的开关。DRAM由于结构简单，可以做到面积很小，存储容量很大。
描述内存条性能的主要技术指标是：
1.速度
内存条的速度一般用存取一次数据的时间(单位一般用ns)来作为性能指标，时间越短，速度就越快。普通内存速度只能达到70ns～80ns，EDO内存速度可达到60ns，而SDRAM内存速度则已达到7ns。
注意：内存条的生产厂家非常多，目前还没有形成一个统一的标注规范，所以内存的性能指标不可简单地从内存芯片标注上读出来，但可了解其速度如何，如－70或－60等数字，就表示此内存芯片的速度为70ns或60ns。
2.容量
内存条容量大小有多种规格，早期的30线内存条有256K、1M、4M、8M多种容量，72线的EDO内存则多为4M、8M、16M，而168线的SDRAM内存大多为16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。图5-1是一款独特的64MB内存条。
3.奇偶校验
为检验存取数据是否准确无误，内存条中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位，并配合主板的奇偶校验电路对存取的数据进行正确校验。不过，而在实际使用中有无奇偶校验位，对系统性能并没有什么影响，所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。
注：计算机是以二进制进行计数的，表现为0和1，当机器向内存写入数据时，实际上就是存入代码01，奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计，并将统计的结果保存在奇偶校验位中，当计算机提取内存的数据时，奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致，从而确保了内存数据的正确性。
4.内存的电压
FPM内存和EDO内存均使用5V电压，而SDRAM则使用3.3V电压，在使用中注意主板上的跳线不能设错。
描述内存条性能的主要技术指标是：
1.速度
内存条的速度一般用存取一次数据的时间(单位一般用ns)来作为性能指标，时间越短，速度就越快。普通内存速度只能达到70ns～80ns，EDO内存速度可达到60ns，而SDRAM内存速度则已达到7ns。
注意：内存条的生产厂家非常多，目前还没有形成一个统一的标注规范，所以内存的性能指标不可简单地从内存芯片标注上读出来，但可了解其速度如何，如－70或－60等数字，就表示此内存芯片的速度为70ns或60ns。
2.容量
内存条容量大小有多种规格，早期的30线内存条有256K、1M、4M、8M多种容量，72线的EDO内存则多为4M、8M、16M，而168线的SDRAM内存大多为16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。图5-1是一款独特的64MB内存条。
3.奇偶校验
为检验存取数据是否准确无误，内存条中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位，并配合主板的奇偶校验电路对存取的数据进行正确校验。不过，而在实际使用中有无奇偶校验位，对系统性能并没有什么影响，所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。
注：计算机是以二进制进行计数的，表现为0和1，当机器向内存写入数据时，实际上就是存入代码01，奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计，并将统计的结果保存在奇偶校验位中，当计算机提取内存的数据时，奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致，从而确保了内存数据的正确性。
4.内存的电压
FPM内存和EDO内存均使用5V电压，而SDRAM则使用3.3V电压，在使用中注意主板上的跳线不能设错。
标签：性能指标,内存
