pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。
如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。
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当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。
另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器，Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器。
或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。
Vgs是栅极相对于源极的电压。
与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：
|VGS|>|VTP (PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。
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PMOS工作原理——
因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。
当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采内用负电压，可以增容加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。
在视频监控设备日益增多的今天，VGS在监控系统中的应用，必然更加有利于帮助用户快速掌控前端设备运行情况，轻松运维大型视频监控系统。它适用于公安、银行、交通、电力、监狱等各大建设有视频监控系统的领域。
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对各路视频信号进行自动检测，利用先进的自适应学习算法和计算机智能视觉技术，仿真人类的视觉系统，对视频设备出现的连通故障、画面偏色、干扰噪声、雪花噪声、信号缺失、清晰度故障、亮度故障、画面冻结、场景变换等故障以及故障严重程度做出准确诊断。
同时，对故障原因进行智能分析，给出详尽的维修建议。系统根据诊断结果，自动分配运维工作，结合智能移动终端，快速定位查找故障设备位置，及时到达维修现场，并能跟踪运维事件的处理过程，及时反馈设备的维修情况。
参考资料来源：
mos管中G代表栅极，S代表源极。电压是相对的，所以Vgs是栅极相对于源极的电压。
Vgs 是栅极和源极间电压。这个电压决定mos处于什么状态。
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