背照式和堆栈式摄像头对比哪个更好些？

背照式传感器 首先我们先来看一看现在普遍流行的背照式传感器和传统型的之间有什么不同。传统型摄像头的传感器的整个光电二极管位于感光芯片的最下层，传感器的A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层位置，所以光电二极管到透镜的距离是比较远的，光线到达要求也会更加高。 除此之外，传统感光芯片上层的线路连接层还会出现光线的反射，影响到达光电二极管的光线强度，从而使传感器的受光量减少。所以在一般的情况下，传统型摄像头传感器在日光较为充足的时候拍照是没什么问题的，但在弱光的情况下表现就会显得有点“捉襟见肘”了，较难在低光环境下拍摄出明亮，质量好的照片。 传统和背照式CMOS结构对比 为了改善这一

1、简单地说，堆栈式CMOS的感光二极管在电路晶体管后方，进光量会因受到遮挡而减少，因而光线越弱成像越差。而背照式CMOS就是将电路晶体管和感光二极管的位置调转，光线首先进入感光二极管，这样就增大了感光量，从而显著提高低光照条件下的拍摄效果； 2、堆栈式CMOS与背照式CNOS的显著区别就是工作方法不同； 3、成像区别是，背照式CMOS接收的是经过感光二极管放大的光元素，一个像素点的面积可以被放大，所以背照式CMOS对弱光的捕捉能力更厉害，因而高感也就更强大，而堆栈式CMOS是先接收光元素后再由感光二极管进行工作，一个像素点的面积不会变大，因而对弱光的扑捉能力比背照式CMOS差，高感也就弱。但

标签：背照式,堆栈,摄像头