1、随机存储器
对于任意一个地址,以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器(写入速度和读出速度可以不同)。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式,即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式(如8k×8位)。
特点:这种存储器的特点是单元器件数量少,集成度高,应用最为广泛(见金属-氧化物-半导体动态随机存储器)。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息,如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定,当器件接通时为“1”,断开时为“0”,反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中,光刻时便转移到硅芯片上。
特点:其优点是适合于大量生产。但是,整机在调试阶段,往往需要修改只读存储器的内容,比较费时、费事,很不灵活(见半导体只读存储器)。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构,犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长,因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列,数据按每列顺序读取,如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点:砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒,预计在超高速领域将有所发展。
扩展资料:
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上,输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
参考资料来源:
半导体存储器分类:
1,按其功能可分为随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)
(1)随机存取存储器(RAM)特点:包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),当关机或断电时,其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(内存的主体部分),SRAM主要用于高速缓存存储器。
(2)只读存储器(ROM)特点:只读存储器的特点是只能读出不能随意写入信息,在主板上的ROM里面固化了一个基本输入/输出系统,称为BIOS(基本输入输出系统)。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导操作系统。
2,按其制造工艺可分为:双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
(1)双极型存储器特点:运算速度比磁芯存储器速度约快 3个数量级,而且与双极型逻辑电路型式相同,使接口大为简化。
(2)MOS晶体管存储器特点:集成度高、容量大、体积小、存取速度快、功耗低、价格便宜、维护简单。
3,按其存储原理,可分为:静态和动态两种。
(1)静态存储器特点:需要电源才能工作,只要电源正常,就能长期稳定的保存信息。
(2)动态存储器特点:超大容量的存储技术,跟其它类型的存储器相比,每兆比特的价格为最低。
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按功能分类按其功能可分为:
按制作工艺分类可分为:双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按存储原理分类可分为:静态和动态两种。
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